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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：AOSD26313C

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：AOSD26313C

制造商：Alpha & Omega Semiconductor Inc.

描述：MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 和 P 溝道互補(bǔ)型

FET功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：7A（Ta），5.7A（Ta）

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：20 毫歐 @ 7A，10V，32 毫歐 @ 5.7A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 250μA，2.2V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：20nC，33nC @ 10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：600pF @ 15V，1100pF @ 15V

功率-最大值：1.7W（Ta）

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）

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