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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：FQD7P06TM_F080

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：單端場效應(yīng)管

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：FQD7P06TM_F080

制造廠家名稱：Fairchild 仙童半導(dǎo)體（已被ON安森美收購）

描述：MOSFET P-CH 60V 5.4A DPAK

系列：QFET

FET 類型：MOSFET P 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓 (Vdss)：60V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：5.4A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：451 毫歐 @ 2.7A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：8.2nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：295pF @ 25V

功率 - 最大值：2.5W

安裝類型：表面貼裝

產(chǎn)品封裝：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應(yīng)商器件封裝：D-Pak

FQD7P06TM_F080均從Fairchild代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

Fairchild

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