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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：AFT09S200W02GNR3

原始制造廠商：Freescale，飛思卡爾

技術標準參數(shù)：TRANSISTOR RF LDMOS 4W PLD

產(chǎn)品應用分類：RF FET

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技術參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號: AFT09S200W02GNR3

制造廠家名稱：Freescale 飛思卡爾半導體（已被NXP恩智浦收購）

功能總體簡述: TRANSISTOR RF LDMOS 4W PLD

系列: -

晶體管類型: LDMOS

電壓 - 集射極擊穿（最大值）: -

頻率: 960MHz

增益: 19.2dB

頻率 - 躍遷: -

噪聲系數(shù)（dB，不同 f 時的典型值）: -

電壓 - 測試: 28V

額定電流: -

功率 - 最大值: -

噪聲系數(shù): -

不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）: -

電流 - 測試: 1.4A

功率 - 輸出: 56W

電流 - 集電極（Ic）（最大值）: -

安裝類型: -

電壓 - 額定: 70V

產(chǎn)品封裝: OM-780-2

供應商器件封裝:

AFT09S200W02GNR3均從Freescale代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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