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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：IRFSL17N20DPBF

技術(shù)標準參數(shù)：MOSFET N-CH 200V 16A TO-262

產(chǎn)品應(yīng)用分類：單端場效應(yīng)管

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：IRFSL17N20DPBF

制造廠家名稱：IR（International Rectifier）已被英飛凌INFINEON收購

描述：MOSFET N-CH 200V 16A TO-262

系列：HEXFET

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：200V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：16A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：170 毫歐 @ 9.8A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：5.5V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：50nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：1100pF @ 25V

功率 - 最大值：3.8W

安裝類型：通孔

產(chǎn)品封裝：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA

供應(yīng)商器件封裝：TO-262

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