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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：IS43DR86400D-3DBLI-TR

原始制造廠商：ISSI

技術標準參數：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA

產品應用分類：存儲器

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技術參數詳解：

制造商產品型號：IS43DR86400D-3DBLI-TR

制造商：ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

描述：IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA

產品系列：存儲器

包裝：卷帶（TR）

系列：-

零件狀態(tài)：不適用於新設計

存儲器類型：易失

存儲器格式：DRAM

技術：SDRAM - DDR2

存儲容量：512Mb（64M x 8）

存儲器接口：并聯(lián)

時鐘頻率：333MHz

寫周期時間-字，頁：15ns

訪問時間：450ps

電壓-供電：1.7V ~ 1.9V

工作溫度：-40°C ~ 85°C（TA）

安裝類型：表面貼裝型

產品封裝：60-TFBGA

IS43DR86400D-3DBLI-TR均從ISSI代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

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