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      圖片信息
      IXFT6N100F圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:IXFT6N100F
    4. 原始制造廠商:IXYS
    5. 技術標準參數:MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
    6. 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
    7. 點擊此處下載IXFT6N100F的原廠技術規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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    9. 技術參數詳解:
    10. 制造商產品型號:IXFT6N100F
    11. 制造商:IXYS(IXYS已被Littelfuse收購)
    12. 描述:MOSFET N-CH 1000V 6A TO268
    13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
    14. 產品系列:HiPerRF?
    15. 零件狀態(tài):停產
    16. FET類型:N 通道
    17. 技術:MOSFET(金屬氧化物)
    18. 漏源電壓(Vdss):1000V
    19. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):6A(Tc)
    20. 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):10V
    21. 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):1.9 歐姆 @ 3A,10V
    22. 不同Id時Vgs(th)(最大值):5.5V @ 2.5mA
    23. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):54nC @ 10V
    24. Vgs(最大值):±20V
    25. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):1770pF @ 25V
    26. FET功能:-
    27. 功率耗散(最大值):180W(Tc)
    28. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
    29. 安裝類型:表面貼裝型
    30. 器件封裝:TO-268(IXFT)
    31. IXFT6N100F均從IXYS代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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