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      圖片信息
      IXST30N60B圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:IXST30N60B
    4. 原始制造廠商:IXYS
    5. 技術(shù)標準參數(shù):IGBT 600V 55A 200W TO268
    6. 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    7. 點擊此處下載IXST30N60B的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:IXST30N60B
    11. 制造商:IXYS(IXYS已被Littelfuse收購)
    12. 描述:IGBT 600V 55A 200W TO268
    13. 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    14. 產(chǎn)品系列:-
    15. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
    16. IGBT類型:PT
    17. 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
    18. 電流-集電極(Ic)(最大值):55A
    19. 電流-集電極脈沖(Icm):110A
    20. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2V @ 15V,30A
    21. 功率-最大值:200W
    22. 開關能量:1.5mJ(關)
    23. 輸入類型:標準
    24. 柵極電荷:100nC
    25. 25°C時Td(開/關)值:30ns/150ns
    26. 測試條件:480V,30A,4.7 歐姆,15V
    27. 反向恢復時間(trr):-
    28. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
    29. 安裝類型:表面貼裝型
    30. 封裝:TO-268-3,D3Pak(2 引線 + 接片),TO-268AA
    31. IXST30N60B均從IXYS代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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