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      圖片信息
      VWM200-01P圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:VWM200-01P
    4. 原始制造廠商:IXYS
    5. 技術(shù)標準參數(shù):MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
    7. 點擊此處下載VWM200-01P的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:VWM200-01P
    11. 制造商:IXYS(IXYS已被Littelfuse收購)
    12. 描述:MOSFET 6N-CH 100V 210A V2
    13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
    14. 產(chǎn)品系列:-
    15. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
    16. FET類型:6 N-溝道(3 相橋)
    17. FET功能:標準
    18. 漏源電壓(Vdss):100V
    19. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):210A
    20. 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻(最大值):5.2 毫歐 @ 100A,10V
    21. 不同Id時Vgs(th)(最大值):4V @ 2mA
    22. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):430nC @ 10V
    23. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):-
    24. 功率-最大值:-
    25. 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
    26. 安裝類型:通孔
    27. 封裝:V2-PAK
    28. VWM200-01P均從IXYS代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
    29. 時刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
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