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      圖片信息
      BSC750N10ND G圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:BSC750N10ND G
    4. 原始制造廠商:Infineon,英飛凌
    5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:場效應(yīng)管陣列
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. Infineon英飛凌公司完整型號:BSC750N10ND G
    11. 制造廠家名稱:Infineon Technologies
    12. 描述:MOSFET 2N-CH 100V 3.2A 8TDSON
    13. 系列:OptiMOS?
    14. FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
    15. FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)
    16. 漏源極電壓 (Vdss):100V
    17. 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):13A
    18. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):75 毫歐 @ 13A,10V
    19. 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 12μA
    20. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):11nC @ 10V
    21. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):720pF @ 50V
    22. 功率 - 最大值:26W
    23. 安裝類型:表面貼裝
    24. 封裝/外殼:8-PowerVDFN
    25. 供應(yīng)商器件封裝:PG-TDSON-8(5.15x6.15)
    26. BSC750N10ND G均從Infineon代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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