深圳市南皇電子有限公司長(zhǎng)期提供IMBF170R1K0M1XTMA1（品牌: Infineon）充足現(xiàn)貨訂購、免費(fèi)樣品

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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號(hào)：IMBF170R1K0M1XTMA1

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號(hào)：IMBF170R1K0M1XTMA1

制造商：Infineon Technologies

描述：SICFET N-CH 1700V 5.2A TO263-7

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè)

產(chǎn)品系列：CoolSiC?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術(shù)：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：1700V

25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：5.2A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：12V，15V

不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：1000毫歐 @ 1A，15V

不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 1.1mA

不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：5nC @ 12V

Vgs（最大值）：+20V，-10V

不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：275pF @ 1000V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：68W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：-

器件封裝：PG-TO263-7

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Infineon

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