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      圖片信息
      IMZ120R350M1HXKSA1圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:IMZ120R350M1HXKSA1
    4. 原始制造廠商:Infineon,英飛凌
    5. 技術標準參數:SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
    6. 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
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    9. 技術參數詳解:
    10. 制造商產品型號:IMZ120R350M1HXKSA1
    11. 制造商:Infineon Technologies
    12. 描述:SICFET N-CH 1.2KV 4.7A TO247-4
    13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 單個
    14. 產品系列:CoolSiC?
    15. 零件狀態(tài):有源
    16. FET類型:N 通道
    17. 技術:SiCFET(碳化硅)
    18. 漏源電壓(Vdss):1.2kV
    19. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):4.7A(Tc)
    20. 驅動電壓(最大RdsOn,最小RdsOn):15V,18V
    21. 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):350 毫歐 @ 2A,18V
    22. 不同Id時Vgs(th)(最大值):5.7V @ 1mA
    23. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):5.3nC @ 18V
    24. Vgs(最大值):+23V,-7V
    25. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):182pF @ 800V
    26. FET功能:-
    27. 功率耗散(最大值):60W(Tc)
    28. 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
    29. 安裝類型:通孔
    30. 器件封裝:PG-TO247-4-1
    31. IMZ120R350M1HXKSA1均從Infineon代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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