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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：IPD15N06S2L-64

原始制造廠商：Infineon，英飛凌

技術標準參數：MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3

產品應用分類：單端場效應管

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技術參數詳解：

Infineon英飛凌公司完整型號：IPD15N06S2L-64

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 55V 19A TO252-3

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：邏輯電平門

漏源極電壓 (Vdss)：55V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：19A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：64 毫歐 @ 13A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：2V @ 14μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：13nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：354pF @ 25V

功率 - 最大值：47W

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63

供應商器件封裝：PG-TO252-3

IPD15N06S2L-64均從Infineon代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

Infineon

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