深圳市南皇電子有限公司長期提供IPI111N15N3 G（品牌: Infineon）充足現貨訂購、免費樣品

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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：IPI111N15N3 G

技術標準參數：MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3

產品應用分類：單端場效應管

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技術參數詳解：

Infineon英飛凌公司完整型號：IPI111N15N3 G

制造廠家名稱：Infineon Technologies

描述：MOSFET N-CH 150V 83A TO262-3

系列：OptiMOS?

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：150V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：83A（Tc）

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：11.1 毫歐 @ 83A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：4V @ 160μA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：55nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：3230pF @ 75V

功率 - 最大值：214W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I2Pak，TO-262AA

供應商器件封裝：PG-TO262-3

IPI111N15N3 G均從Infineon代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

Infineon

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