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      圖片信息
      1N6630US圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:1N6630US
    4. 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
    5. 技術(shù)標準參數(shù):DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B
    6. 產(chǎn)品應用分類:單二極管整流器
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. Microsemi美高森美完整型號:1N6630US
    11. 制造廠家名稱:Microsemi Commercial Components Group
    12. 描述:DIODE GEN PURP 900V 1.4A D5B
    13. 系列:-
    14. 二極管類型:標準
    15. 電壓 - DC 反向 (Vr)(最大值):900V
    16. 電流 - 平均整流 (Io):1.4A
    17. 不同 If 時的電壓 - 正向 (Vf):1.7V @ 3A
    18. 速度:快速恢復 = 200mA(Io)
    19. 反向恢復時間 (trr):50ns
    20. 不同 Vr 時的電流 - 反向漏電流:4μA @ 100V
    21. 不同 Vr、F 時的電容:-
    22. 安裝類型:表面貼裝
    23. 封裝/外殼:E-MELF
    24. 供應商器件封裝:D-5B
    25. 工作溫度 - 結(jié):-65°C ~ 150°C
    26. 1N6630US均從Microsemi代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
    27. 時刻努力成為您值得信賴的IC供應商
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