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      圖片信息
      APT200GN60B2G圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號(hào):APT200GN60B2G
    4. 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
    5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):IGBT 600V 283A 682W TO247
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi):?jiǎn)温稩GBT
    7. 點(diǎn)擊此處下載APT200GN60B2G的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. Microsemi美高森美完整型號(hào):APT200GN60B2G
    11. 制造廠家名稱(chēng):Microsemi Power Products Group
    12. 描述:IGBT 600V 283A 682W TO247
    13. 系列:-
    14. IGBT 類(lèi)型:溝道和場(chǎng)截止
    15. 電壓 - 集射極擊穿(最大值):600V
    16. 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):283A
    17. Current - Collector Pulsed (Icm):600A
    18. 不同 Vge、Ic 時(shí)的 Vce(on):1.85V @ 15V,200A
    19. 功率 - 最大值:682W
    20. Switching Energy:13mJ (開(kāi)), 11mJ (關(guān))
    21. 輸入類(lèi)型:標(biāo)準(zhǔn)
    22. Gate Charge:1180nC
    23. 25°C 時(shí) Td(開(kāi)/關(guān))值:50ns/560ns
    24. Test Condition:400V, 200A, 1 歐姆, 15V
    25. 反向恢復(fù)時(shí)間 (trr):-
    26. 封裝/外殼:TO-247-3
    27. 安裝類(lèi)型:通孔
    28. 供應(yīng)商器件封裝:*
    29. APT200GN60B2G均從Microsemi代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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