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      圖片信息
      APT70GR65B2SCD30圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號(hào):APT70GR65B2SCD30
    4. 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
    5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類(lèi):晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    7. 點(diǎn)擊此處下載APT70GR65B2SCD30的原廠技術(shù)規(guī)格手冊(cè)Datasheet(PDF文件)
    8. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購(gòu)需求!
    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號(hào):APT70GR65B2SCD30
    11. 制造商:Microsemi Corporation
    12. 描述:INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTO
    13. 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    14. 產(chǎn)品系列:-
    15. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
    16. IGBT類(lèi)型:NPT
    17. 電壓-集射極擊穿(最大值):650V
    18. 電流-集電極(Ic)(最大值):134A
    19. 電流-集電極脈沖(Icm):260A
    20. 不同?Vge、Ic時(shí)?Vce(on)(最大值):2.4V @ 15V,70A
    21. 功率-最大值:595W
    22. 開(kāi)關(guān)能量:-
    23. 輸入類(lèi)型:-
    24. 柵極電荷:305nC
    25. 25°C時(shí)Td(開(kāi)/關(guān))值:19ns/170ns
    26. 測(cè)試條件:433V,70A,4.3 歐姆,15V
    27. 反向恢復(fù)時(shí)間(trr):-
    28. 工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)
    29. 安裝類(lèi)型:通孔
    30. 封裝:TO-247-3
    31. APT70GR65B2SCD30均從Microsemi代理或經(jīng)過(guò)認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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