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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：APTC60HM70T1G

技術標準參數：MOSFET 4N-CH 600V 39A SP1

產品應用分類：場效應管模塊

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技術參數詳解：

Microsemi美高森美完整型號：APTC60HM70T1G

制造廠家名稱：Microsemi Power Products Group

描述：MOSFET 4N-CH 600V 39A SP1

系列：-

FET 類型：4 個 N 通道（H 橋）

FET 功能：標準

漏源極電壓 (Vdss)：600V

電流 - 連續(xù)漏極 (Id)（25°C 時）：39A

不同 Id、Vgs 時的 Rds On（最大值）：70 毫歐 @ 39A，10V

不同 Id 時的 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 2.7mA

不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg)：259nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss)：7000pF @ 25V

功率 - 最大值：250W

安裝類型：底座安裝

封裝/外殼：SP1

供應商器件封裝：SP1

APTC60HM70T1G均從Microsemi代理或經過認證的可靠渠道采購，長期充足現貨，確保原裝正品！

Microsemi

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