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      圖片信息
      APTGT200DH120G圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:APTGT200DH120G
    4. 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
    5. 技術標準參數(shù):IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
    6. 產品應用分類:IGBT模塊
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. Microsemi美高森美完整型號:APTGT200DH120G
    11. 制造廠家名稱:Microsemi Power Products Group
    12. 描述:IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP6
    13. 系列:-
    14. IGBT 類型:溝道和場截止
    15. 配置:非對稱橋
    16. 電壓 - 集射極擊穿(最大值):1200V
    17. 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):280A
    18. 功率 - 最大值:890W
    19. 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.1V @ 15V,200A
    20. 電流 - 集電極截止(最大值):350μA
    21. 不同 Vce 時的輸入電容 (Cies):14nF @ 25V
    22. 輸入:標準
    23. NTC 熱敏電阻:無
    24. 安裝類型:底座安裝
    25. 封裝/外殼:SP6
    26. 供應商器件封裝:SP6
    27. APTGT200DH120G均從Microsemi代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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