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      圖片信息
      APTGT75A1202G圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:APTGT75A1202G
    4. 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
    5. 技術(shù)標準參數(shù):IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP2
    6. 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - IGBT - 模塊
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:APTGT75A1202G
    11. 制造商:Microsemi Corporation
    12. 描述:IGBT MODULE 1200V 110A 357W SP2
    13. 系列:晶體管 - IGBT - 模塊
    14. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
    15. IGBT類型:溝槽型場截止
    16. 配置:半橋
    17. 電壓-集射極擊穿(最大值):1200V
    18. 電流-集電極(Ic)(最大值):110A
    19. 功率-最大值:357W
    20. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,75A
    21. 電流-集電極截止(最大值):50μA
    22. 不同?Vce時輸入電容(Cies):5.34nF @ 25V
    23. 輸入:標準
    24. NTC熱敏電阻:無
    25. 工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
    26. 安裝類型:底座安裝
    27. 封裝:SP2
    28. APTGT75A1202G均從Microsemi代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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