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      圖片信息
      MASMLJ12AE3圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:MASMLJ12AE3
    4. 原始制造廠商:Microsemi,美高森美
    5. 技術標準參數(shù):TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AB
    6. 產品應用分類:二極管TVS
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. Microsemi美高森美完整型號:MASMLJ12AE3
    11. 制造廠家名稱:Microsemi HI-REL [MIL]
    12. 描述:TVS DIODE 12VWM 19.9VC DO214AB
    13. 系列:軍用, MIL-PRF-19500
    14. 類型:齊納
    15. 單向通道:1
    16. 雙向通道:-
    17. 電壓 - 反向關態(tài)(典型值):12V
    18. 電壓 - 擊穿(最小值):13.3V
    19. 電壓 - 箝位(最大值)@ Ipp:19.9V
    20. 電流 - 峰值脈沖 (10/1000μs):150.6A
    21. 功率 - 峰值脈沖:3000W (3kW)
    22. 電源線路保護:無
    23. 應用:通用
    24. 不同頻率時的電容:-
    25. 工作溫度:-65°C ~ 150°C(TJ)
    26. 安裝類型:表面貼裝
    27. 封裝/外殼:DO-214AB,SMC
    28. 供應商器件封裝:DO-214AB
    29. MASMLJ12AE3均從Microsemi代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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