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      圖片信息
      A2G35S160-01SR3圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:A2G35S160-01SR3
    4. 原始制造廠商:NXP,恩智浦半導體
    5. 技術(shù)標準參數(shù):AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
    7. 點擊此處下載A2G35S160-01SR3的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:A2G35S160-01SR3
    11. 制造商:NXP USA Inc.
    12. 描述:AIRFAST RF POWER GAN TRANSISTOR
    13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 射頻
    14. 零件狀態(tài):有源
    15. 晶體管類型:LDMOS
    16. 頻率:3.4GHz ~ 3.6GHz
    17. 增益:15.7dB
    18. 電壓-測試:48V
    19. 額定電流(安培):-
    20. 噪聲系數(shù):-
    21. 電流-測試:190mA
    22. 功率-輸出:51dBm
    23. 電壓-額定:125V
    24. 封裝:NI-400S-2S
    25. A2G35S160-01SR3均從NXP代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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