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      圖片信息
      PEMD30,115圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:PEMD30,115
    4. 原始制造廠商:NXP,恩智浦半導體
    5. 技術標準參數:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
    6. 產品應用分類:陣列﹐預偏壓式晶體管
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    9. 技術參數詳解:
    10. NXP恩智浦完整型號:PEMD30,115
    11. 制造廠家名稱:NXP Semiconductors
    12. 描述:TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT666
    13. 系列:-
    14. 晶體管類型:1 個 NPN,1 個 PNP - 預偏壓式(雙)
    15. 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):100mA
    16. 電壓 - 集射極擊穿(最大值):50V
    17. 電阻器 - 基底 (R1) (Ω):2.2k
    18. 電阻器 - 發(fā)射極基底 (R2) (Ω):-
    19. 不同 Ic、Vce 時的 DC 電流增益 (hFE)(最小值):30 @ 20mA,5V
    20. 不同 Ib、Ic 時的 Vce 飽和值(最大值):150mV @ 500μA,10mA
    21. 電流 - 集電極截止(最大值):1μA
    22. 頻率 - 躍遷:-
    23. 功率 - 最大值:300mW
    24. 安裝類型:表面貼裝
    25. 封裝/外殼:SOT-563,SOT-666
    26. 供應商器件封裝:SOT-666
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