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      圖片信息
      PHKD6N02LT,518圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:PHKD6N02LT,518
    4. 原始制造廠商:NXP,恩智浦半導(dǎo)體
    5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:場效應(yīng)管陣列
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. NXP恩智浦完整型號:PHKD6N02LT,518
    11. 制造廠家名稱:NXP Semiconductors
    12. 描述:MOSFET 2N-CH 20V 10.9A SOT96-1
    13. 系列:TrenchMOS?
    14. FET 類型:2 個 N 溝道(雙)
    15. FET 功能:邏輯電平門
    16. 漏源極電壓 (Vdss):20V
    17. 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):10.9A
    18. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):20 毫歐 @ 3A,5V
    19. 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):1.5V @ 250μA
    20. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):15.3nC @ 5V
    21. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):950pF @ 10V
    22. 功率 - 最大值:4.17W
    23. 安裝類型:表面貼裝
    24. 封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)
    25. 供應(yīng)商器件封裝:8-SO
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