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      圖片信息
      PMDXB1200UPEZ圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:PMDXB1200UPEZ
    4. 原始制造廠商:NXP,恩智浦半導體
    5. 技術標準參數(shù):MOSFET P-CH 30V DUAL DFN1010B-6
    6. 產(chǎn)品應用分類:FET - 陣列
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. NXP恩智浦完整型號: PMDXB1200UPEZ
    11. 制造廠家名稱: NXP Semiconductors
    12. 功能總體簡述: MOSFET P-CH 30V DUAL DFN1010B-6
    13. 系列: -
    14. FET 類型: 2 個 P 溝道(雙)
    15. FET 功能: 標準
    16. 漏源極電壓(Vdss): 30V
    17. 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 410mA
    18. 不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值): 1.4 歐姆 @ 410mA,4.5V
    19. 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): 950mV @ 250μA
    20. 不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 1.2nC @ 4.5V
    21. 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 43.2pF @ 15V
    22. 功率 - 最大值: 285mW
    23. 安裝類型: 表面貼裝
    24. 封裝/外殼: 6-XFDFN 裸露焊盤
    25. 供應商器件封裝: DFN1010B-6
    26. PMDXB1200UPEZ均從NXP代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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