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      圖片信息
      PSMN8R2-80YS,115圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:PSMN8R2-80YS,115
    4. 原始制造廠商:NXP,恩智浦半導體
    5. 技術(shù)標準參數(shù):MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK
    6. 產(chǎn)品應用分類:單端場效應管
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. NXP恩智浦完整型號:PSMN8R2-80YS,115
    11. 制造廠家名稱:NXP Semiconductors
    12. 描述:MOSFET N-CH 80V 82A LFPAK
    13. 系列:-
    14. FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
    15. FET 功能:標準
    16. 漏源極電壓 (Vdss):80V
    17. 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):82A(Tc)
    18. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):8.5 毫歐 @ 15A,10V
    19. 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 1mA
    20. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):55nC @ 10V
    21. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):3640pF @ 40V
    22. 功率 - 最大值:130W
    23. 安裝類型:表面貼裝
    24. 封裝/外殼:SC-100,SOT-669,4-LFPAK
    25. 供應商器件封裝:LFPAK56, Power-SO8
    26. PSMN8R2-80YS,115均從NXP代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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