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      圖片信息
      PSMN1R1-30EL圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號(hào):PSMN1R1-30EL
    4. 原始制造廠商:Nexperia,安世半導(dǎo)體
    5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:FET,MOSFET - 單-晶體管
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. Nexperia公司器件型號(hào):PSMN1R1-30EL,127
    11. 制造商:Nexperia USA Inc.(安世半導(dǎo)體)-2017年從NXP分離
    12. 功能總體描述:MOSFET N-CH 30V 120A I2PAK
    13. 所屬類別:FET,MOSFET - 單-晶體管
    14. 系列:-
    15. 零件狀態(tài):在售
    16. FET 類型:N 溝道
    17. 技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)
    18. 漏源極電壓(Vdss):30V
    19. 電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):120A(Tc)
    20. 驅(qū)動(dòng)電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4.5V,10V
    21. 不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 1mA
    22. 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷 (Qg)(最大值):243nC @ 10V
    23. 不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss)(最大值):14850pF @ 15V
    24. Vgs(最大值):±20V
    25. FET 功能:-
    26. 功率耗散(最大值):338W(Tc)
    27. 不同 Id,Vgs 時(shí)的 Rds On(最大值):1.3 毫歐 @ 25A,10V
    28. 工作溫度:-55°C ~ 175°C(TJ)
    29. 安裝類型:通孔
    30. Nexperia公司標(biāo)準(zhǔn)封裝:I2PAK
    31. 封裝形式:TO-262-3,長(zhǎng)引線,I2Pak,TO-262AA
    32. PSMN1R1-30EL的標(biāo)準(zhǔn)包裝數(shù)量(SPQ):- PCS
    33. PSMN1R1-30EL均從Nexperia代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購(gòu),長(zhǎng)期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
    34. 時(shí)刻努力成為您值得信賴的IC供應(yīng)商
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