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      圖片信息
      ECH8620-TL-E圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:ECH8620-TL-E
    4. 原始制造廠商:ON,ON安森美半導(dǎo)體
    5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:FET - 陣列
    7. 點擊此處下載ECH8620-TL-E的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. ON安森美半導(dǎo)體完整型號: ECH8620-TL-E
      制造廠家名稱: SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation
      功能總體簡述: MOSFET N/P-CH 100V 2A/1.5A ECH8
      系列: -
      FET 類型: N 和 P 溝道
      FET 功能: 邏輯電平門
      漏源極電壓(Vdss): 100V
      電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時): 2A,1.5A
      不同 Id,Vgs 時的 Rds On(最大值): 260 毫歐 @ 1A,10V
      不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值): -
      不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg): 13.8nC @ 10V
      不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 650pF @ 20V
      功率 - 最大值: 1.3W
      安裝類型: 表面貼裝
      產(chǎn)品封裝: 8-SMD,扁平引線
      供應(yīng)商器件封裝: 8-ECH
      ECH8620-TL-E均從ON代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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