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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：FDG6321C-F169

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：INTEGRATED CIRCUIT

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：FDG6321C-F169

制造商：ON Semiconductor

描述：INTEGRATED CIRCUIT

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

FET類型：N 和 P 溝道

FET功能：邏輯電平門

漏源電壓（Vdss）：25V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：500mA（Ta），410mA（Ta）

不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：450 毫歐 @ 500mA，4.5V，1.1 歐姆 @ 410mA，4.5V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：1.5V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：2.3nC @ 4.5V，1.5nC @ 4.5V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：50pF @ 10V，62pF @ 10V

功率-最大值：300mW

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：6-TSSOP，SC-88，SOT-363

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