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      圖片信息
      HGT1S14N36G3VLS圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:HGT1S14N36G3VLS
    4. 原始制造廠商:ON,ON安森美半導體
    5. 技術標準參數(shù):IGBT 390V 18A 100W TO263AB
    6. 產品應用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 制造商產品型號:HGT1S14N36G3VLS
    11. 制造商:ON Semiconductor
    12. 描述:IGBT 390V 18A 100W TO263AB
    13. 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    14. 產品系列:-
    15. 零件狀態(tài):停產
    16. IGBT類型:-
    17. 電壓-集射極擊穿(最大值):390V
    18. 電流-集電極(Ic)(最大值):18A
    19. 電流-集電極脈沖(Icm):-
    20. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.2V @ 5V,14A
    21. 功率-最大值:100W
    22. 開關能量:-
    23. 輸入類型:邏輯
    24. 柵極電荷:24nC
    25. 25°C時Td(開/關)值:-/7μs
    26. 測試條件:300V,7A,25歐姆,5V
    27. 反向恢復時間(trr):-
    28. 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
    29. 安裝類型:表面貼裝型
    30. 封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
    31. HGT1S14N36G3VLS均從ON代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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