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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：HGTG30N60B3D

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 600V 60A TO247-3

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：HGTG30N60B3D

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT 600V 60A TO247-3

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：最後搶購

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：60A

電流-集電極脈沖(Icm)：220A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.9V @ 15V，30A

功率-最大值：208W

開關(guān)能量：550μJ（開），680μJ（關(guān)）

輸入類型：標(biāo)準(zhǔn)

柵極電荷：170nC

25°C時Td（開/關(guān)）值：36ns/137ns

測試條件：480V，30A，3 歐姆，15V

反向恢復(fù)時間(trr)：55ns

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-247-3

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