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      圖片信息
      NGB8207BNT4G圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:NGB8207BNT4G
    4. 原始制造廠商:ON,ON安森美半導(dǎo)體
    5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:單路IGBT
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. ON安森美半導(dǎo)體完整型號:NGB8207BNT4G
    11. 制造廠家名稱:ON Semiconductor
    12. 描述:IGBT 365V 20A 165W D2PAK3
    13. 系列:-
    14. IGBT 類型:-
    15. 電壓 - 集射極擊穿(最大值):365V
    16. 電流 - 集電極 (Ic)(最大值):20A
    17. Current - Collector Pulsed (Icm):50A
    18. 不同 Vge、Ic 時的 Vce(on):2.6V @ 4V,20A
    19. 功率 - 最大值:165W
    20. Switching Energy:-
    21. 輸入類型:邏輯
    22. Gate Charge:-
    23. 25°C 時 Td(開/關(guān))值:-
    24. Test Condition:-
    25. 反向恢復(fù)時間 (trr):-
    26. 產(chǎn)品封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線+接片),TO-263AB
    27. 安裝類型:表面貼裝
    28. 供應(yīng)商器件封裝:D2PAK
    29. NGB8207BNT4G均從ON代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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