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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：NGTB30N120L2WG

技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù)：IGBT 1200V 60A 534W TO247

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：NGTB30N120L2WG

制造商：ON Semiconductor

描述：IGBT 1200V 60A 534W TO247

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：*

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：-

電流-集電極(Ic)（最大值）：-

電流-集電極脈沖(Icm)：-

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：-

功率-最大值：-

開關(guān)能量：-

輸入類型：-

柵極電荷：-

25°C時Td（開/關(guān)）值：-

測試條件：-

反向恢復(fù)時間(trr)：-

工作溫度：-

安裝類型：-

封裝：-

NGTB30N120L2WG均從ON代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購，長期充足現(xiàn)貨，確保原裝正品！

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