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      圖片信息
      DSK9J01P0L圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:DSK9J01P0L
    4. 原始制造廠商:Panasonic,松下半導體
    5. 技術標準參數(shù):JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3
    6. 產(chǎn)品應用分類:JFET結點場效應
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號: DSK9J01P0L
    11. 制造廠家名稱: Panasonic Electronic Components(松下半導體)
    12. 功能總體簡述: JFET N-CH 30MA 125MW SSMINI3
    13. 系列: -
    14. FET 類型: N 溝道
    15. 電壓 - 擊穿(V(BR)GSS): -
    16. 漏源極電壓(Vdss): 55V
    17. 不同 Vds(Vgs=0)時的電流 - 漏極(Idss): 1mA @ 10V
    18. 漏極電流(Id) - 最大值: 30mA
    19. 不同 Id 時的電壓 - 截止(VGS 關): 5V @ 10μA
    20. 不同 Vds 時的輸入電容(Ciss): 6pF @ 10V
    21. 電阻 - RDS(開): -
    22. 安裝類型: 表面貼裝
    23. 產(chǎn)品封裝: SC-89,SOT-490
    24. 供應商器件封裝: SS迷你型3-F3-B
    25. 功率 - 最大值: 125mW
    26. DSK9J01P0L均從松下半導體代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
    27. 時刻努力成為您值得信賴的IC供應商
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