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      圖片信息
      QS8K11TCR圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:QS8K11TCR
    4. 原始制造廠商:ROHM,羅姆
    5. 技術標準參數:4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
    6. 產品應用分類:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
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    9. 技術參數詳解:
    10. 制造商產品型號:QS8K11TCR
    11. 制造商:Rohm Semiconductor
    12. 描述:4V DRIVE NCH+NCH MOSFET
    13. 系列:晶體管 - FET,MOSFET - 陣列
    14. 產品系列:-
    15. 零件狀態(tài):有源
    16. FET類型:2 N-通道(雙)
    17. FET功能:-
    18. 漏源電壓(Vdss):30V
    19. 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id):3.5A
    20. 不同Id、Vgs時導通電阻(最大值):50 毫歐 @ 3.5A,10V
    21. 不同Id時Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
    22. 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)(最大值):3.3nC @ 5V
    23. 不同Vds時輸入電容(Ciss)(最大值):180pF @ 10V
    24. 功率-最大值:1.5W
    25. 工作溫度:150°C(TJ)
    26. 安裝類型:表面貼裝型
    27. 封裝:8-SMD,扁平引線
    28. QS8K11TCR均從ROHM代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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