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      圖片信息
      RGT30NS65DGTL圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:RGT30NS65DGTL
    4. 原始制造廠商:ROHM,羅姆
    5. 技術標準參數:IGBT 650V 30A 133W TO-263S
    6. 產品應用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
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    9. 技術參數詳解:
    10. 制造商產品型號:RGT30NS65DGTL
    11. 制造商:Rohm Semiconductor
    12. 描述:IGBT 650V 30A 133W TO-263S
    13. 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    14. 產品系列:-
    15. 零件狀態(tài):有源
    16. IGBT類型:溝槽型場截止
    17. 電壓-集射極擊穿(最大值):650V
    18. 電流-集電極(Ic)(最大值):30A
    19. 電流-集電極脈沖(Icm):45A
    20. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.1V @ 15V,15A
    21. 功率-最大值:133W
    22. 開關能量:-
    23. 輸入類型:標準
    24. 柵極電荷:32nC
    25. 25°C時Td(開/關)值:18ns/64ns
    26. 測試條件:400V,15A,10 歐姆,15V
    27. 反向恢復時間(trr):55ns
    28. 工作溫度:-40°C ~ 175°C(TJ)
    29. 安裝類型:表面貼裝型
    30. 封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
    31. RGT30NS65DGTL均從ROHM代理或經過認證的可靠渠道采購,長期充足現貨,確保原裝正品!
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