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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：RQ3E180GNTB

原始制造廠商：ROHM，羅姆

技術標準參數：MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數詳解：

制造商產品型號：RQ3E180GNTB

制造商：Rohm Semiconductor

描述：MOSFET N-CH 30V 18A 8HSMT

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：-

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：18A（Ta）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：4.5V，10V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：4.3 毫歐 @ 18A，10V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 1mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：22.4nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1520pF @ 15V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：2W（Ta）

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：8-HSMT（3.2x3）

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ROHM

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