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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：NE3514S02-A

原始制造廠商：Renesas，瑞薩電子

技術標準參數：HJ-FET NCH 10DB S02

產品應用分類：RF FET

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技術參數詳解：

Renesas瑞薩完整型號: NE3514S02-A

制造廠家名稱: CEL （已被Renesas瑞薩收購）

功能總體簡述: HJ-FET NCH 10DB S02

系列: -

晶體管類型: HFET

電壓 - 集射極擊穿（最大值）: -

頻率: 20GHz

增益: 10dB

頻率 - 躍遷: -

噪聲系數（dB，不同 f 時的典型值）: -

電壓 - 測試: 2V

額定電流: 70mA

功率 - 最大值: -

噪聲系數: 0.75dB

不同 Ic，Vce 時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）: -

電流 - 測試: 10mA

功率 - 輸出: -

電流 - 集電極（Ic）（最大值）: -

安裝類型: -

電壓 - 額定: 4V

封裝/外殼: 4-SMD，扁平引線

供應商器件封裝:

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