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      圖片信息
      RJH60V3BDPE-00#J3圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:RJH60V3BDPE-00#J3
    4. 原始制造廠商:Renesas,瑞薩電子
    5. 技術(shù)標準參數(shù):IGBT 600V 35A 113W LDPAK
    6. 產(chǎn)品應用分類:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 制造商產(chǎn)品型號:RJH60V3BDPE-00#J3
    11. 制造商:Renesas Electronics America Inc
    12. 描述:IGBT 600V 35A 113W LDPAK
    13. 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
    14. 產(chǎn)品系列:-
    15. 零件狀態(tài):停產(chǎn)
    16. IGBT類型:溝道
    17. 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
    18. 電流-集電極(Ic)(最大值):35A
    19. 電流-集電極脈沖(Icm):-
    20. 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.2V @ 15V,17A
    21. 功率-最大值:113W
    22. 開關(guān)能量:90μJ(開),300μJ(關(guān))
    23. 輸入類型:標準
    24. 柵極電荷:60nC
    25. 25°C時Td(開/關(guān))值:40ns/90ns
    26. 測試條件:300V,17A,5 歐姆,15V
    27. 反向恢復時間(trr):25ns
    28. 工作溫度:150°C(TJ)
    29. 安裝類型:表面貼裝型
    30. 封裝:SC-83
    31. RJH60V3BDPE-00#J3均從Renesas代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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