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      圖片信息
      UPA2791GR-E2-AT圖片
      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:UPA2791GR-E2-AT
    4. 原始制造廠商:Renesas,瑞薩電子
    5. 技術標準參數(shù):MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOIC
    6. 產(chǎn)品應用分類:場效應管陣列
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. Renesas瑞薩完整型號:UPA2791GR-E2-AT
    11. 制造廠家名稱:Renesas Electronics America
    12. 描述:MOSFET N/P-CH 30V 5A 8SOIC
    13. 系列:-
    14. FET 類型:N 和 P 溝道
    15. FET 功能:邏輯電平門
    16. 漏源極電壓 (Vdss):30V
    17. 電流 - 連續(xù)漏極 (Id)(25°C 時):5A
    18. 不同 Id、Vgs 時的 Rds On(最大值):36 毫歐 @ 3A,10V
    19. 不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 1mA
    20. 不同 Vgs 時的柵極電荷 (Qg):10nC @ 10V
    21. 不同 Vds 時的輸入電容 (Ciss):400pF @ 10V
    22. 功率 - 最大值:2W
    23. 安裝類型:表面貼裝
    24. 封裝/外殼:8-SOIC(0.173",4.40mm 寬)
    25. 供應商器件封裝:8-PSOP
    26. UPA2791GR-E2-AT均從Renesas代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
    27. 時刻努力成為您值得信賴的IC供應商
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