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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：SCTH35N65G2V-7

原始制造廠商：ST，意法半導體

技術標準參數：SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7

產品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

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技術參數詳解：

制造商產品型號：SCTH35N65G2V-7

制造商：STMicroelectronics

描述：SICFET N-CH 650V 45A H2PAK-7

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 單個

產品系列：-

零件狀態(tài)：有源

FET類型：N 通道

技術：SiCFET（碳化硅）

漏源電壓（Vdss）：650V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：45A（Tc）

驅動電壓（最大RdsOn，最小RdsOn）：18V，20V

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：67毫歐 @ 20A，20V

不同Id時Vgs(th)（最大值）：3.2V @ 1mA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：73nC @ 20V

Vgs（最大值）：+22V，-10V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1370pF @ 400V

FET功能：-

功率耗散（最大值）：208W（Tc）

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

器件封裝：H2PAK-7

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