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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：STGB20NB41LZT4

原始制造廠商：ST，意法半導體

技術標準參數(shù)：IGBT 442V 40A 200W D2PAK

產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數(shù)詳解：

制造商產品型號：STGB20NB41LZT4

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 442V 40A 200W D2PAK

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產品系列：PowerMESH?

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：442V

電流-集電極(Ic)（最大值）：40A

電流-集電極脈沖(Icm)：80A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2V @ 4.5V，20A

功率-最大值：200W

開關能量：5mJ（開），12.9mJ（關）

輸入類型：標準

柵極電荷：46nC

25°C時Td（開/關）值：1μs/12.1μs

測試條件：320V，20A，1 千歐，5V

反向恢復時間(trr)：-

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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