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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：STGB6M65DF2

技術(shù)標準參數(shù)：IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK

產(chǎn)品應(yīng)用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：STGB6M65DF2

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT TRENCH 650V 12A D2PAK

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：M

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：溝槽型場截止

電壓-集射極擊穿（最大值）：650V

電流-集電極(Ic)（最大值）：12A

電流-集電極脈沖(Icm)：24A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2V @ 15V，6A

功率-最大值：88W

開關(guān)能量：36μJ（開），200μJ（關(guān)）

輸入類型：標準

柵極電荷：21.2nC

25°C時Td（開/關(guān)）值：15ns/90ns

測試條件：400V，6A，22 歐姆，15V

反向恢復(fù)時間(trr)：140ns

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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