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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：STGB7NB60KDT4

原始制造廠商：ST，意法半導體

技術(shù)標準參數(shù)：IGBT 600V 14A 80W D2PAK

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：STGB7NB60KDT4

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 600V 14A 80W D2PAK

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：PowerMESH?

零件狀態(tài)：停產(chǎn)

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：14A

電流-集電極脈沖(Icm)：56A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.8V @ 15V，7A

功率-最大值：80W

開關(guān)能量：140μJ（關(guān)）

輸入類型：標準

柵極電荷：32.7nC

25°C時Td（開/關(guān)）值：15ns/50ns

測試條件：480V，7A，10 歐姆，15V

反向恢復時間(trr)：50ns

工作溫度：150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB

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