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圖片信息

基本技術信息：

電子器件型號：STGD19N40LZ

原始制造廠商：ST，意法半導體

技術標準參數(shù)：IGBT 20V 40A DPAK

產品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術參數(shù)詳解：

制造商產品型號：STGD19N40LZ

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 20V 40A DPAK

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產品系列：Automotive, AEC-Q101

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：-

電壓-集射極擊穿（最大值）：390V

電流-集電極(Ic)（最大值）：25A

電流-集電極脈沖(Icm)：40A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：1.5V @ 4.5V，10A

功率-最大值：125W

開關能量：-

輸入類型：邏輯

柵極電荷：17nC

25°C時Td（開/關）值：650ns/13.5μs

測試條件：300V，10A，1 千歐，5V

反向恢復時間(trr)：-

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：TO-252-3，DPak（2 引線 + 接片），SC-63

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