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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：STGWT40V60DF

技術(shù)標準參數(shù)：IGBT 600V 80A 283W TO3P-3

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：STGWT40V60DF

制造商：STMicroelectronics

描述：IGBT 600V 80A 283W TO3P-3

系列：晶體管 - UGBT、MOSFET - 單

產(chǎn)品系列：-

零件狀態(tài)：有源

IGBT類型：溝槽型場截止

電壓-集射極擊穿（最大值）：600V

電流-集電極(Ic)（最大值）：80A

電流-集電極脈沖(Icm)：160A

不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，40A

功率-最大值：283W

開關(guān)能量：456μJ（開），411μJ（關(guān)）

輸入類型：標準

柵極電荷：226nC

25°C時Td（開/關(guān)）值：52ns/208ns

測試條件：400V，40A，10 歐姆，15V

反向恢復時間(trr)：41ns

工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝：TO-3P-3，SC-65-3

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