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      圖片信息
      K3QF3F30BM-FGCF圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:K3QF3F30BM-FGCF
    4. 原始制造廠商:Samsung,三星半導(dǎo)體
    5. 技術(shù)標準參數(shù):SAMSUNG DRAM NAND
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
    7. 點擊此處下載K3QF3F30BM-FGCF的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 三星芯片型號:K3QF3F30BM-FGCF
    11. 制造商:SAMSUNG(三星半導(dǎo)體)
    12. 功能類別:低功耗雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
    13. 容量:16Gb
    14. 架構(gòu):x64
    15. 速率:1866 Mbps
    16. 工作電壓:1.8 / 1.2 / 1.2 V
    17. 工作溫度:-25 ~ 85 °C
    18. 封裝:256FBGA
    19. 產(chǎn)品狀態(tài):批量生產(chǎn)
    20. K3QF3F30BM-FGCF均從三星半導(dǎo)體代理或經(jīng)過認證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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