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      圖片信息
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      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:K4A4G085WE-BIWE
    4. 原始制造廠商:Samsung,三星半導體
    5. 技術(shù)標準參數(shù):SAMSUNG DRAM NAND
    6. 產(chǎn)品應用分類:雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
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    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 三星芯片型號:K4A4G085WE-BIWE
    11. 制造商:SAMSUNG(三星半導體)
    12. 功能類別:雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
    13. 容量:4Gb
    14. 架構(gòu):512M x 8
    15. 速率:3200 Mbps
    16. 工作電壓:1.2 V
    17. 工作溫度:-40 ~ 95 °C
    18. 封裝:78FBGA
    19. 產(chǎn)品狀態(tài):批量生產(chǎn)
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