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      圖片信息
      K4T1G163QJ-BI圖片
      基本技術(shù)信息:
    3. 電子器件型號:K4T1G163QJ-BI
    4. 原始制造廠商:Samsung,三星半導(dǎo)體
    5. 技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)參數(shù):SAMSUNG DRAM NAND
    6. 產(chǎn)品應(yīng)用分類:雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
    7. 點(diǎn)擊此處下載K4T1G163QJ-BI的原廠技術(shù)規(guī)格手冊Datasheet(PDF文件)
    8. 現(xiàn)貨供應(yīng),最快當(dāng)日出貨,滿足您從研發(fā)到批量生產(chǎn)的所有大小批量采購需求!
    9. 技術(shù)參數(shù)詳解:
    10. 三星芯片型號:K4T1G163QJ-BI
    11. 制造商:SAMSUNG(三星半導(dǎo)體)
    12. 功能類別:雙倍數(shù)據(jù)率同步動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
    13. 容量:1Gb
    14. 架構(gòu):64M x 16
    15. 速率:1066 Mbps
    16. 工作電壓:1.8 V
    17. 工作溫度:-40 ~ 95 °C
    18. 封裝:84FBGA
    19. 產(chǎn)品狀態(tài):批量生產(chǎn)
    20. K4T1G163QJ-BI均從三星半導(dǎo)體代理或經(jīng)過認(rèn)證的可靠渠道采購,長期充足現(xiàn)貨,確保原裝正品!
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