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      圖片信息
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      基本技術信息:
    3. 電子器件型號:M474B1G73EB0-YK0
    4. 原始制造廠商:Samsung,三星半導體
    5. 技術標準參數(shù):SAMSUNG DRAM NAND
    6. 產(chǎn)品應用分類:模塊
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    9. 技術參數(shù)詳解:
    10. 三星模塊型號:M474B1G73EB0-YK0
    11. 制造商:SAMSUNG(三星半導體)
    12. 功能類別:模塊
    13. DDR:三代雙倍數(shù)據(jù)率同步動態(tài)隨機存儲器
    14. DIMM 類型:SODIMM
    15. 容量:8GB
    16. 內存區(qū)塊組織:2R x 8
    17. 速率:1600 Mbps
    18. 工作電壓:1.35 V
    19. 組件成分:(512M x 8) x 18
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