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圖片信息

基本技術(shù)信息：

電子器件型號：CSD87503Q3ET

技術(shù)標準參數(shù)：30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM

產(chǎn)品應用分類：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

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技術(shù)參數(shù)詳解：

制造商產(chǎn)品型號：CSD87503Q3ET

制造商：Texas Instruments

描述：30-V DUAL N-CHANNEL MOSFET, COMM

系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列

產(chǎn)品系列：NexFET?

零件狀態(tài)：有源

FET類型：2 N 溝道（雙）共源

FET功能：標準

漏源電壓（Vdss）：30V

25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：10A（Ta）

不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：-

不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.1V @ 250μA

不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：17.4nC @ 4.5V

不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1020pF @ 15V

功率-最大值：15.6W

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝型

封裝：8-PowerVDFN

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